제품 모델 : | 1N8028-GA |
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제조업체 / 브랜드 : | GeneSiC Semiconductor |
기술 : | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 |
RoHS 상태 : | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
사용 가능한 양 | 211 pcs |
사양서 | 1N8028-GA.pdf |
전압 - 피크 역 (최대) | Silicon Carbide Schottky |
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 9.4A (DC) |
전압 - 파괴 | TO-257 |
연속 | - |
RoHS 상태 | Tube |
역 회복 시간 (trr) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
만약, F @ 저항 | 884pF @ 1V, 1MHz |
편광 | TO-257-3 |
다른 이름들 | 1242-1115 1N8028GA |
작동 온도 - 정션 | 0ns |
실장 형 | Through Hole |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 | 18 Weeks |
제조업체 부품 번호 | 1N8028-GA |
확장 설명 | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 9.4A (DC) Through Hole TO-257 |
다이오드 구성 | 20µA @ 1200V |
기술 | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 |
전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 1.6V @ 10A |
전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) | 1200V (1.2kV) |
VR, F @ 용량 | -55°C ~ 250°C |