제품 모델 : | ALD212900PAL |
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제조업체 / 브랜드 : | Advanced Linear Devices, Inc. |
기술 : | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP |
RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 20116 pcs |
사양서 | ALD212900PAL.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 20mV @ 20µA |
제조업체 장치 패키지 | 8-PDIP |
연속 | EPAD®, Zero Threshold™ |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 14 Ohm |
전력 - 최대 | 500mW |
포장 | Tube |
패키지 / 케이스 | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
다른 이름들 | 1014-1212 |
작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TJ) |
실장 형 | Through Hole |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 | 8 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 30pF @ 5V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
FET 특징 | Logic Level Gate |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 10.6V |
상세 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Through Hole 8-PDIP |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 80mA |