제품 모델 : |
AOWF10N60 |
제조업체 / 브랜드 : |
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
기술 : |
MOSFET N-CH 600V 10A TO262F |
RoHS 상태 : |
무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 |
36753 pcs |
사양서 |
1.AOWF10N60.pdf2.AOWF10N60.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) |
4.5V @ 250µA |
Vgs (최대) |
±30V |
과학 기술 |
MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 |
TO-262F |
연속 |
- |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) |
750 mOhm @ 5A, 10V |
전력 소비 (최대) |
25W (Tc) |
포장 |
Tube |
패키지 / 케이스 |
TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
작동 온도 |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 |
Through Hole |
수분 민감도 (MSL) |
1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 |
26 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 |
Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds |
1600pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs |
40nC @ 10V |
FET 유형 |
N-Channel |
FET 특징 |
- |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) |
10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) |
600V |
상세 설명 |
N-Channel 600V 10A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-262F |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) |
10A (Tc) |