제품 모델 : | APTM10HM19FT3G |
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제조업체 / 브랜드 : | Microsemi |
기술 : | MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3 |
RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 686 pcs |
사양서 | 1.APTM10HM19FT3G.pdf2.APTM10HM19FT3G.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 1mA |
제조업체 장치 패키지 | SP3 |
연속 | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 21 mOhm @ 35A, 10V |
전력 - 최대 | 208W |
포장 | Bulk |
패키지 / 케이스 | SP3 |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Chassis Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 | 32 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5100pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 200nC @ 10V |
FET 유형 | 4 N-Channel (H-Bridge) |
FET 특징 | Standard |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100V |
상세 설명 | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 70A |