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CY7C1412BV18-200BZC

제품 모델 : CY7C1412BV18-200BZC
제조업체 / 브랜드 : Cypress Semiconductor
기술 : IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
RoHS 상태 : 납 함유 / RoHS 비 준수
사용 가능한 양 5786 pcs
사양서 CY7C1412BV18-200BZC.pdf
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 -
전압 - 공급 1.7 V ~ 1.9 V
과학 기술 SRAM - Synchronous, QDR II
제조업체 장치 패키지 165-FBGA (15x17)
연속 -
포장 Tray
패키지 / 케이스 165-LBGA
작동 온도 0°C ~ 70°C (TA)
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 3 (168 Hours)
메모리 유형 Volatile
메모리 크기 36Mb (2M x 18)
메모리 인터페이스 Parallel
메모리 형식 SRAM
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Contains lead / RoHS non-compliant
상세 설명 SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb (2M x 18) Parallel 200MHz 165-FBGA (15x17)
클럭 주파수 200MHz
기본 부품 번호 CY7C1412
CY7C1412BV18-200BZC
Cypress Semiconductor Cypress Semiconductor 이미지는 참고 용입니다. 제품 세부 사항은 제품 사양을 참조하십시오.
{Define : Sys_Domain}, 1 년 보증 에서 CY7C1412BV18-200BZC를 구입하십시오
인용문 에 대한 요청을 표시 한 것보다 큰 수량에 대해 제출하십시오.
목표 가격 (USD):
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