제품 모델 : | DMG6601LVT-7 |
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제조업체 / 브랜드 : | Diodes Incorporated |
기술 : | MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT |
RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 394246 pcs |
사양서 | DMG6601LVT-7.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.5V @ 250µA |
제조업체 장치 패키지 | TSOT-26 |
연속 | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 55 mOhm @ 3.4A, 10V |
전력 - 최대 | 850mW |
포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
다른 이름들 | DMG6601LVT-7DITR DMG6601LVT7 |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 | 32 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 422pF @ 15V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 12.3nC @ 10V |
FET 유형 | N and P-Channel |
FET 특징 | Logic Level Gate |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V |
상세 설명 | Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.8A, 2.5A |
기본 부품 번호 | DMG6601 |