| 제품 모델 : | GDP50P120B |
|---|---|
| 제조업체 / 브랜드 : | Global Power Technologies Group |
| 기술 : | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2 |
| RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 486 pcs |
| 사양서 | GDP50P120B.pdf |
| 전압 - 피크 역 (최대) | Silicon Carbide Schottky |
| 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 50A (DC) |
| 전압 - 파괴 | TO-247-2 |
| 연속 | Amp+™ |
| RoHS 상태 | Tube |
| 역 회복 시간 (trr) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 만약, F @ 저항 | 2984pF @ 1V, 1MHz |
| 편광 | TO-247-2 |
| 다른 이름들 | 1560-1028-5 |
| 작동 온도 - 정션 | 0ns |
| 실장 형 | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 부품 번호 | GDP50P120B |
| 확장 설명 | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 50A (DC) Through Hole TO-247-2 |
| 다이오드 구성 | 100µA @ 1200V |
| 기술 | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2 |
| 전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 1.7V @ 50A |
| 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) | 1200V (1.2kV) |
| VR, F @ 용량 | -55°C ~ 135°C |
Global Power Technologies Group
