제품 모델 : | HGTD3N60C3S9A |
---|---|
제조업체 / 브랜드 : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
기술 : | IGBT 600V 6A 33W TO252AA |
RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 4591 pcs |
사양서 | HGTD3N60C3S9A.pdf |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 600V |
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) | 2V @ 15V, 3A |
시험 조건 | 480V, 3A, 82 Ohm, 15V |
Td (온 / 오프) @ 25 ° C | - |
에너지 전환 | 85µJ (on), 245µJ (off) |
제조업체 장치 패키지 | TO-252AA |
연속 | - |
전력 - 최대 | 33W |
포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 유형 | Standard |
IGBT 유형 | - |
게이트 충전 | 10.8nC |
상세 설명 | IGBT 600V 6A 33W Surface Mount TO-252AA |
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) | 24A |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 6A |