| 제품 모델 : | MBR600150CTR |
|---|---|
| 제조업체 / 브랜드 : | GeneSiC Semiconductor |
| 기술 : | DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER |
| RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 439 pcs |
| 사양서 | MBR600150CTR.pdf |
| 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 880mV @ 300A |
| 전압 - 역방향 (Vr) (최대) | 150V |
| 제조업체 장치 패키지 | Twin Tower |
| 속도 | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| 연속 | - |
| 포장 | Bulk |
| 패키지 / 케이스 | Twin Tower |
| 작동 온도 - 정션 | -55°C ~ 150°C |
| 실장 형 | Chassis Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 4 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 다이오드 유형 | Schottky |
| 다이오드 구성 | 1 Pair Common Anode |
| 상세 설명 | Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 150V 300A Chassis Mount Twin Tower |
| 전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 3mA @ 150V |
| 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) | 300A |
GeneSiC Semiconductor
