제품 모델 : |
MMUN2131LT1G |
제조업체 / 브랜드 : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
기술 : |
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 |
RoHS 상태 : |
무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 |
4200 pcs |
사양서 |
MMUN2131LT1G.pdf |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) |
50V |
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) |
250mV @ 5mA, 10mA |
트랜지스터 유형 |
PNP - Pre-Biased |
제조업체 장치 패키지 |
SOT-23-3 (TO-236) |
연속 |
- |
저항기 - 이미 터베이스 (R2) |
2.2 kOhms |
저항기 -베이스 (R1) |
2.2 kOhms |
전력 - 최대 |
246mW |
포장 |
Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
실장 형 |
Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) |
1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 |
Lead free / RoHS Compliant |
상세 설명 |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 |
8 @ 5mA, 10V |
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) |
500nA |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) |
100mA |
기본 부품 번호 |
MMUN21**L |