| 제품 모델 : | MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B |
|---|---|
| 제조업체 / 브랜드 : | Micron Technology |
| 기술 : | IC DRAM 16G 800MHZ FBGA |
| RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 1520 pcs |
| 사양서 | |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | - |
| 전압 - 공급 | 1.2V |
| 과학 기술 | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
| 연속 | - |
| 다른 이름들 | MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B-ND MT52L256M64D2QB-125XTES:B |
| 작동 온도 | - |
| 수분 민감도 (MSL) | 3 (168 Hours) |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 크기 | 16Gb (256M x 64) |
| 메모리 인터페이스 | - |
| 메모리 형식 | DRAM |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 상세 설명 | SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 16Gb (256M x 64) 800MHz |
| 클럭 주파수 | 800MHz |
