제품 모델 : | MUN5115DW1T1G |
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제조업체 / 브랜드 : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
기술 : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 637850 pcs |
사양서 | MUN5115DW1T1G.pdf |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V |
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 250mV @ 1mA, 10mA |
트랜지스터 유형 | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
제조업체 장치 패키지 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
연속 | - |
저항기 - 이미 터베이스 (R2) | - |
저항기 -베이스 (R1) | 10 kOhms |
전력 - 최대 | 250mW |
포장 | Cut Tape (CT) |
패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
다른 이름들 | MUN5115DW1T1GOSCT |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 | 40 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
주파수 - 전환 | - |
상세 설명 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 160 @ 5mA, 10V |
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 500nA |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 100mA |
기본 부품 번호 | MUN51**DW1T |