제품 모델 : | NCV5183DR2G |
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제조업체 / 브랜드 : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
기술 : | IC DRIVER HI/LO 600V 8SOIC |
RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 29655 pcs |
사양서 | NCV5183DR2G.pdf |
전압 - 공급 | 9 V ~ 18 V |
제조업체 장치 패키지 | 8-SOIC |
연속 | Automotive, AEC-Q100 |
상승 / 하강 시간 (일반) | 12ns, 12ns |
포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
다른 이름들 | NCV5183DR2GOSTR |
작동 온도 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
입력 주파수 | 2 |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 | 26 Weeks |
논리 전압 - VIL, VIH | 1.2V, 2.5V |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 유형 | Non-Inverting |
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) | 600V |
게이트 유형 | N-Channel MOSFET |
구동 구성 | Half-Bridge |
상세 설명 | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC |
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) | 4.3A, 4.3A |
베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대) | Independent |