제품 모델 : |
NSBC124EPDXV6T1G |
제조업체 / 브랜드 : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
기술 : |
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 |
RoHS 상태 : |
무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 |
404620 pcs |
사양서 |
NSBC124EPDXV6T1G.pdf |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) |
50V |
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) |
250mV @ 300µA, 10mA |
트랜지스터 유형 |
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
제조업체 장치 패키지 |
SOT-563 |
연속 |
- |
저항기 - 이미 터베이스 (R2) |
22 kOhms |
저항기 -베이스 (R1) |
22 kOhms |
전력 - 최대 |
500mW |
포장 |
Cut Tape (CT) |
패키지 / 케이스 |
SOT-563, SOT-666 |
다른 이름들 |
NSBC124EPDXV6T1GOSCT |
실장 형 |
Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) |
1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 |
2 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 |
Lead free / RoHS Compliant |
주파수 - 전환 |
- |
상세 설명 |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 |
60 @ 5mA, 10V |
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) |
500nA |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) |
100mA |
기본 부품 번호 |
NSBC1* |