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NSM21356DW6T1G

제품 모델 : NSM21356DW6T1G
제조업체 / 브랜드 : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 : TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
RoHS 상태 : 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 양 5633 pcs
사양서 NSM21356DW6T1G.pdf
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V, 65V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA
트랜지스터 유형 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
제조업체 장치 패키지 SC-88/SC70-6/SOT-363
연속 -
저항기 - 이미 터베이스 (R2) 47 kOhms
저항기 -베이스 (R1) 47 kOhms
전력 - 최대 230mW
포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환 -
상세 설명 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 65V 100mA 230mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 80 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 100mA
NSM21356DW6T1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor AMI Semiconductor / ON Semiconductor 이미지는 참고 용입니다. 제품 세부 사항은 제품 사양을 참조하십시오.
{Define : Sys_Domain}, 1 년 보증 에서 NSM21356DW6T1G를 구입하십시오
인용문 에 대한 요청을 표시 한 것보다 큰 수량에 대해 제출하십시오.
목표 가격 (USD):
수량:
합계:
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