| 제품 모델 : |
NTB5426NT4G |
| 제조업체 / 브랜드 : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| 기술 : |
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
| RoHS 상태 : |
무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 |
5187 pcs |
| 사양서 |
NTB5426NT4G.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) |
4V @ 250µA |
| Vgs (최대) |
±20V |
| 과학 기술 |
MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 |
D2PAK |
| 연속 |
- |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) |
6 mOhm @ 60A, 10V |
| 전력 소비 (최대) |
215W (Tc) |
| 포장 |
Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스 |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 작동 온도 |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 |
Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) |
1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 |
Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds |
5800pF @ 25V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs |
170nC @ 10V |
| FET 유형 |
N-Channel |
| FET 특징 |
- |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) |
10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) |
60V |
| 상세 설명 |
N-Channel 60V 120A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) |
120A (Tc) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
