제품 모델 : | NTQS6463R2 |
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제조업체 / 브랜드 : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
기술 : | MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP |
RoHS 상태 : | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
사용 가능한 양 | 4768 pcs |
사양서 | NTQS6463R2.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 900mV @ 250µA |
Vgs (최대) | ±12V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 | 8-TSSOP |
연속 | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 20 mOhm @ 6.8A, 4.5V |
전력 소비 (최대) | 930mW (Ta) |
포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
다른 이름들 | NTQS6463R2OS |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Contains lead / RoHS non-compliant |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 50nC @ 5V |
FET 유형 | P-Channel |
FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 4.5V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V |
상세 설명 | P-Channel 20V 6.8A (Ta) 930mW (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6.8A (Ta) |