제품 모델 : | NVMFS6H800NT1G |
---|---|
제조업체 / 브랜드 : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
기술 : | TRENCH 8 80V NFET |
RoHS 상태 : | |
사용 가능한 양 | 21340 pcs |
사양서 | NVMFS6H800NT1G.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 330µA |
Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
연속 | Automotive, AEC-Q101 |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 2.1 mOhm @ 50A, 10V |
전력 소비 (최대) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
다른 이름들 | NVMFS6H800NT1G-ND NVMFS6H800NT1GOSTR |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 | 42 Weeks |
무연 상태 | Lead free |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5530pF @ 40V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 85nC @ 10V |
FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 80V |
상세 설명 | N-Channel 80V 28A (Ta), 203A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 28A (Ta), 203A (Tc) |