제품 모델 : | RGT8BM65DTL |
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제조업체 / 브랜드 : | LAPIS Semiconductor |
기술 : | IGBT 650V 8A 62W TO-252 |
RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 42198 pcs |
사양서 | 1.RGT8BM65DTL.pdf2.RGT8BM65DTL.pdf |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 650V |
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) | 2.1V @ 15V, 4A |
시험 조건 | 400V, 4A, 50 Ohm, 15V |
Td (온 / 오프) @ 25 ° C | 17ns/69ns |
에너지 전환 | - |
제조업체 장치 패키지 | TO-252 |
연속 | - |
역 회복 시간 (trr) | 40ns |
전력 - 최대 | 62W |
포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
다른 이름들 | RGT8BM65DTLTR |
작동 온도 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 | 15 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 유형 | Standard |
IGBT 유형 | Trench Field Stop |
게이트 충전 | 13.5nC |
상세 설명 | IGBT Trench Field Stop 650V 8A 62W Surface Mount TO-252 |
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) | 12A |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 8A |