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RN1406,LF

제품 모델 : RN1406,LF
제조업체 / 브랜드 : Toshiba Semiconductor and Storage
기술 : TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
RoHS 상태 : 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 양 1582605 pcs
사양서 RN1406,LF.pdf
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 300mV @ 250µA, 5mA
트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased
제조업체 장치 패키지 S-Mini
연속 -
저항기 - 이미 터베이스 (R2) 47 kOhms
저항기 -베이스 (R1) 4.7 kOhms
전력 - 최대 200mW
포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
다른 이름들 RN1406,LF(B
RN1406,LF(T
RN1406LFTR
RN1406S,LF
RN1406SLF
RN1406SLFTR
RN1406SLFTR-ND
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 12 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환 250MHz
상세 설명 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 80 @ 10mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 100mA
기본 부품 번호 RN140*
Toshiba Semiconductor and Storage 이미지는 참고 용입니다. 제품 세부 사항은 제품 사양을 참조하십시오.
{Define : Sys_Domain}, 1 년 보증 에서 RN1406,LF를 구입하십시오
인용문 에 대한 요청을 표시 한 것보다 큰 수량에 대해 제출하십시오.
목표 가격 (USD):
수량:
합계:
$US 0.00

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