| 제품 모델 : | RN2115MFV,L3F |
|---|---|
| 제조업체 / 브랜드 : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 기술 : | X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M |
| RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 999976 pcs |
| 사양서 | RN2115MFV,L3F.pdf |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V |
| IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 300mV @ 500µA, 5mA |
| 트랜지스터 유형 | PNP - Pre-Biased |
| 제조업체 장치 패키지 | VESM |
| 연속 | - |
| 저항기 - 이미 터베이스 (R2) | 10 kOhms |
| 저항기 -베이스 (R1) | 2.2 kOhms |
| 전력 - 최대 | 150mW |
| 패키지 / 케이스 | SOT-723 |
| 다른 이름들 | RN2115MFVL3F |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 16 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 상세 설명 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
| IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 50 @ 10mA, 5V |
| 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 500nA |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 100mA |
