제품 모델 : | SCT2H12NYTB |
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제조업체 / 브랜드 : | LAPIS Semiconductor |
기술 : | 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET |
RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 7947 pcs |
사양서 | 1.SCT2H12NYTB.pdf2.SCT2H12NYTB.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 410µA |
Vgs (최대) | +22V, -6V |
과학 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) |
제조업체 장치 패키지 | TO-268 |
연속 | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V |
전력 소비 (최대) | 44W (Tc) |
포장 | Cut Tape (CT) |
패키지 / 케이스 | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
다른 이름들 | SCT2H12NYTBCT |
작동 온도 | 175°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 184pF @ 800V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 14nC @ 18V |
FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 18V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1700V |
상세 설명 | N-Channel 1700V 4A (Tc) 44W (Tc) Surface Mount TO-268 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4A (Tc) |