제품 모델 : | SCT3120ALGC11 |
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제조업체 / 브랜드 : | LAPIS Semiconductor |
기술 : | MOSFET NCH 650V 21A TO247N |
RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 5101 pcs |
사양서 | 1.SCT3120ALGC11.pdf2.SCT3120ALGC11.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 5.6V @ 3.33mA |
Vgs (최대) | +22V, -4V |
과학 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) |
제조업체 장치 패키지 | TO-247N |
연속 | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 156 mOhm @ 6.7A, 18V |
전력 소비 (최대) | 103W (Tc) |
포장 | Tube |
패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
작동 온도 | 175°C (TJ) |
실장 형 | Through Hole |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 460pF @ 500V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 38nC @ 18V |
FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 18V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 650V |
상세 설명 | N-Channel 650V 21A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 21A (Tc) |