제품 모델 : | SI4922BDY-T1-GE3 |
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제조업체 / 브랜드 : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
기술 : | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC |
RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 39052 pcs |
사양서 | SI4922BDY-T1-GE3.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.8V @ 250µA |
제조업체 장치 패키지 | 8-SO |
연속 | TrenchFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 16 mOhm @ 5A, 10V |
전력 - 최대 | 3.1W |
포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
다른 이름들 | SI4922BDY-T1-GE3-ND SI4922BDY-T1-GE3TR |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 | 33 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2070pF @ 15V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 62nC @ 10V |
FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
FET 특징 | Standard |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V |
상세 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8A |
기본 부품 번호 | SI4922 |