| 제품 모델 : | SI8261ABC-C-ISR |
|---|---|
| 제조업체 / 브랜드 : | Energy Micro (Silicon Labs) |
| 기술 : | DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC |
| RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 30302 pcs |
| 사양서 | SI8261ABC-C-ISR.pdf |
| 전압 - 공급 | 9.4 V ~ 30 V |
| 전압 - 분리 | 3750Vrms |
| 전압 - 순방향 (Vf) (일반) | 2.8V (Max) |
| 과학 기술 | Capacitive Coupling |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-SOIC |
| 연속 | Automotive, AEC-Q100 |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 5.5ns, 8.5ns |
| 펄스 폭 왜곡 (최대) | 28ns |
| 전달 지연 tpLH / tpHL (최대) | 60ns, 50ns |
| 포장 | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C |
| 채널 수 | 1 |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 3 (168 Hours) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 6 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 상세 설명 | 600mA Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-SOIC |
| 전류 - 피크 출력 | 600mA |
| 전류 - 출력 고, 저 | 400mA, 600mA |
| 전류 - DC 순방향 (If) (최대) | 30mA |
| 공통 모드 과도 내성 (최소) | 35kV/µs |
| 승인 | CQC, CSA, UR, VDE |
