제품 모델 : |
SQJB40EP-T1_GE3 |
제조업체 / 브랜드 : |
Electro-Films (EFI) / Vishay |
기술 : |
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 |
RoHS 상태 : |
무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 |
71101 pcs |
사양서 |
SQJB40EP-T1_GE3.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) |
2.5V @ 250µA |
제조업체 장치 패키지 |
PowerPAK® SO-8 Dual |
연속 |
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) |
8 mOhm @ 8A, 10V |
전력 - 최대 |
34W |
포장 |
Cut Tape (CT) |
패키지 / 케이스 |
PowerPAK® SO-8 Dual |
다른 이름들 |
SQJB40EP-T1_GE3CT |
작동 온도 |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형 |
Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) |
1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 |
Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds |
1900pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs |
35nC @ 10V |
FET 유형 |
2 N-Channel (Dual) |
FET 특징 |
Standard |
소스 전압에 드레인 (Vdss) |
40V |
상세 설명 |
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 30A (Tc) 34W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) |
30A (Tc) |