제품 모델 : | SSM6J511NU,LF |
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제조업체 / 브랜드 : | Toshiba Semiconductor and Storage |
기술 : | MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B |
RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 249629 pcs |
사양서 | SSM6J511NU,LF.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 1mA |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 | 6-UDFNB (2x2) |
연속 | U-MOSVII |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 9.1 mOhm @ 4A, 8V |
포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | 6-WDFN Exposed Pad |
다른 이름들 | SSM6J511NU,LF(B SSM6J511NU,LF(T SSM6J511NULF SSM6J511NULFTR |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3350pF @ 6V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 47nC @ 4.5V |
FET 유형 | P-Channel |
FET 특징 | - |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 12V |
상세 설명 | P-Channel 12V 14A (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2) |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 14A (Ta) |