제품 모델 : | STB10N60M2 |
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제조업체 / 브랜드 : | STMicroelectronics |
기술 : | MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK |
RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 30237 pcs |
사양서 | STB10N60M2.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA |
Vgs (최대) | ±25V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 | D2PAK |
연속 | MDmesh™ II Plus |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 600 mOhm @ 3A, 10V |
전력 소비 (최대) | 85W (Tc) |
포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
다른 이름들 | 497-14528-2 STB10N60M2-ND |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 | 42 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 400pF @ 100V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 13.5nC @ 10V |
FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600V |
상세 설명 | N-Channel 600V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount D2PAK |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 7.5A (Tc) |
기본 부품 번호 | STB10N60 |