제품 모델 : | STD80N6F6 |
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제조업체 / 브랜드 : | STMicroelectronics |
기술 : | MOSFET N-CH 60V DPAK |
RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 38586 pcs |
사양서 | STD80N6F6.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.5V @ 250µA |
Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 | DPAK |
연속 | DeepGATE™, STripFET™ VI |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 6.5 mOhm @ 40A, 10V |
전력 소비 (최대) | 120W (Tc) |
포장 | Original-Reel® |
패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
다른 이름들 | 497-13942-6 |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 7480pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 122nC @ 10V |
FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60V |
상세 설명 | N-Channel 60V 80A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount DPAK |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 80A (Tc) |