| 제품 모델 : | STF11N65M5 |
|---|---|
| 제조업체 / 브랜드 : | STMicroelectronics |
| 기술 : | MOSFET N CH 650V 9A TO-220FP |
| RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 28707 pcs |
| 사양서 | STF11N65M5.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±25V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220FP |
| 연속 | MDmesh™ V |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 480 mOhm @ 4.5A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 25W (Tc) |
| 포장 | Tube |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack |
| 다른 이름들 | 497-13160 |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 42 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 644pF @ 100V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 650V |
| 상세 설명 | N-Channel 650V 9A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 9A (Tc) |
STMicroelectronics
