제품 모델 : | TH58NYG3S0HBAI6 |
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제조업체 / 브랜드 : | Toshiba Memory America, Inc. |
기술 : | IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA |
RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 4576 pcs |
사양서 | TH58NYG3S0HBAI6.pdf |
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | 25ns |
전압 - 공급 | 1.7 V ~ 1.95 V |
과학 기술 | FLASH - NAND (SLC) |
제조업체 장치 패키지 | 67-VFBGA (6.5x8) |
연속 | - |
포장 | Tray |
패키지 / 케이스 | 67-VFBGA |
다른 이름들 | TH58NYG3S0HBAI6JDH |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 3 (168 Hours) |
메모리 유형 | Non-Volatile |
메모리 크기 | 8Gb (1G x 8) |
메모리 인터페이스 | Parallel |
메모리 형식 | FLASH |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
상세 설명 | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8) |
액세스 시간 | 25ns |