제품 모델 : |
EPC2107ENGRT |
제조업체 / 브랜드 : |
EPC |
기술 : |
TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE |
RoHS 상태 : |
무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 |
33224 pcs |
사양서 |
EPC2107ENGRT.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) |
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
제조업체 장치 패키지 |
9-BGA (1.35x1.35) |
연속 |
eGaN® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) |
320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V |
전력 - 최대 |
- |
포장 |
Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 |
9-VFBGA |
다른 이름들 |
917-EPC2107ENGRTR |
작동 온도 |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 |
Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) |
1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 |
Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds |
16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs |
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
FET 유형 |
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
FET 특징 |
GaNFET (Gallium Nitride) |
소스 전압에 드레인 (Vdss) |
100V |
상세 설명 |
Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35) |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) |
1.7A, 500mA |