제품 모델 : | EPC2110 |
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제조업체 / 브랜드 : | EPC |
기술 : | MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE |
RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 28253 pcs |
사양서 | EPC2110.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 700µA |
제조업체 장치 패키지 | Die |
연속 | eGaN® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 60 mOhm @ 4A, 5V |
전력 - 최대 | - |
포장 | Cut Tape (CT) |
패키지 / 케이스 | Die |
다른 이름들 | 917-1152-1 |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 | 14 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 80pF @ 60V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.8nC @ 5V |
FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
FET 특징 | GaNFET (Gallium Nitride) |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 120V |
상세 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 120V 3.4A Die |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.4A |