제품 모델 : | UMB3NFHATN |
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제조업체 / 브랜드 : | LAPIS Semiconductor |
기술 : | PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH |
RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 543530 pcs |
사양서 | 1.UMB3NFHATN.pdf2.UMB3NFHATN.pdf |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V |
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 300mV @ 250µA, 5mA |
트랜지스터 유형 | 2 PNP Pre-Biased (Dual) |
제조업체 장치 패키지 | UMT6 |
연속 | Automotive, AEC-Q101 |
전력 - 최대 | 150mW |
포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
다른 이름들 | UMB3NFHATNTR |
작동 온도 | 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 | 7 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
주파수 - 전환 | 250MHz |
상세 설명 | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6 |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 100 @ 1mA, 5V |
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 500nA (ICBO) |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 100mA |