제품 모델 : | UMB3NTN |
---|---|
제조업체 / 브랜드 : | LAPIS Semiconductor |
기술 : | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6 |
RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 460445 pcs |
사양서 | 1.UMB3NTN.pdf2.UMB3NTN.pdf |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V |
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 300mV @ 2.5mA, 5mA |
트랜지스터 유형 | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
제조업체 장치 패키지 | UMT6 |
연속 | - |
저항기 - 이미 터베이스 (R2) | - |
저항기 -베이스 (R1) | 4.7 kOhms |
전력 - 최대 | 150mW |
포장 | Cut Tape (CT) |
패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
다른 이름들 | UMB3NTNCT |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 | 10 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
주파수 - 전환 | 250MHz |
상세 설명 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6 |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 100 @ 1mA, 5V |
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 500nA (ICBO) |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 100mA |
기본 부품 번호 | MB3 |