제품 모델 : | EPC2045ENGRT |
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제조업체 / 브랜드 : | EPC |
기술 : | TRANS GAN 100V BUMPED DIE |
RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 10777 pcs |
사양서 | EPC2045ENGRT.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 5mA |
Vgs (최대) | +6V, -4V |
과학 기술 | GaNFET (Gallium Nitride) |
제조업체 장치 패키지 | Die |
연속 | eGaN® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 7 mOhm @ 16A, 5V |
전력 소비 (최대) | - |
포장 | Cut Tape (CT) |
패키지 / 케이스 | Die |
다른 이름들 | 917-EPC2045ENGRCT |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 | 14 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 685pF @ 50V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 6.5nC @ 5V |
FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100V |
상세 설명 | N-Channel 100V 16A (Ta) Surface Mount Die |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 16A (Ta) |