제품 모델 : | EPC2100ENG |
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제조업체 / 브랜드 : | EPC |
기술 : | TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE |
RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 5630 pcs |
사양서 | EPC2100ENG.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
제조업체 장치 패키지 | Die |
연속 | eGaN® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V |
전력 - 최대 | - |
포장 | Tray |
패키지 / 케이스 | Die |
다른 이름들 | 917-EPC2100ENG EPC2100ENGR_H1 EPC2100ENGRH1 |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V |
FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET 특징 | GaNFET (Gallium Nitride) |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V |
상세 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A (Ta), 40A (Ta) Surface Mount Die |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 10A (Ta), 40A (Ta) |