제품 모델 : |
EPC2101 |
제조업체 / 브랜드 : |
EPC |
기술 : |
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID |
RoHS 상태 : |
무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 |
6393 pcs |
사양서 |
EPC2101.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) |
2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA |
제조업체 장치 패키지 |
Die |
연속 |
eGaN® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) |
11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V |
전력 - 최대 |
- |
포장 |
Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 |
Die |
다른 이름들 |
917-1181-2 |
작동 온도 |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 |
Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) |
1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임 |
14 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 |
Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds |
300pF @ 30V, 1200pF @ 30V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs |
2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V |
FET 유형 |
2 N-Channel (Half Bridge) |
FET 특징 |
GaNFET (Gallium Nitride) |
소스 전압에 드레인 (Vdss) |
60V |
상세 설명 |
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) |
9.5A, 38A |