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EPC2101ENG

제품 모델 : EPC2101ENG
제조업체 / 브랜드 : EPC
기술 : TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
RoHS 상태 : 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 양 3829 pcs
사양서 EPC2101ENG.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대) 2.5V @ 2mA
제조업체 장치 패키지 Die
연속 eGaN®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 11.5 mOhm @ 20A, 5V
전력 - 최대 -
포장 Tray
패키지 / 케이스 Die
다른 이름들 917-EPC2101ENG
EPC2101ENGR_H5
EPC2101ENGRH5
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 300pF @ 30V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 2.7nC @ 5V
FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 특징 GaNFET (Gallium Nitride)
소스 전압에 드레인 (Vdss) 60V
상세 설명 Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.5A, 38A
EPC2101ENG
EPC EPC 이미지는 참고 용입니다. 제품 세부 사항은 제품 사양을 참조하십시오.
{Define : Sys_Domain}, 1 년 보증 에서 EPC2101ENG를 구입하십시오
인용문 에 대한 요청을 표시 한 것보다 큰 수량에 대해 제출하십시오.
목표 가격 (USD):
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